دراین‌تحقیق‌گروههای سازگاری رویشی (VCG)چهل جدایه Fusarium oxysporum f.sp. tuberosi، عامل بیماری های مهم سیب زمینی در سه مرحله در انبار و مزرعه شامل پوسیدگی خشک فوزاریمی پژمردگی و پوسیدگی انتهایی ساقة سیب زمینی که از مناطق مختلف سیب زمینی کاری استان خراسان جمع آوری شده بودند، با استفاده از جهش یافتگان نیت تعیین شد. ابتدا جهش یافتگان نیت بصورت سکتورهائی در محیط های مختلف کلرات دار تولید شدند. سپس کلاس فنوتیپی جهش یافتگان نیت بر اساس مشخصات رشدی پر گنة آنها روی محیط پایه که حاوی یکی از پنج نوع منبع نیتروژن ( نیترات سدیم، نیتریت سدیم، تارتارات آمونیم، اسید اوریک و هیپوزانتین) بود، تعیین گردید. بر این اساس 9/49 درصد از جهش یافتگان نیت متعلق به کلاس فنوتیپی nit 1، 3/30 درصد به کلاس فنوتیپی nit3و 9/15 درصد در کلاس فنوتیپی Nit Mقرار گرفتند. 9/3 درصد از جهش یافتگان نیت در هیچ کلاس فنوتیپی قرار نگرفتند که به آنها crn اطلاق می گردد. به منظور انجام آزمون های مکمل سازی و تعیین گروههای سازگاری رویشی، بین تمامی جهش یافتگان Nit M هر جدایه با جهش یافتگان nit 1 یا nit 3 سایر جدایه ها مقابله برقرار گردید. جدایه هائی که قادر به تشکیل هترکاریون های پروتروف پایدار در حد فاصل پرگنه های سازگار Nit M با nit 1 یا nit3 بودند، در یک گروه سازگاری رویشی قرار گرفتند. نماد تشکیل هترکاریون پروتروف، تشکیل خط رشدی متراکم از میسلیوم های هوایی در حدفاصل پرگنه ها در محیط کشت حداقل بعد از 7 تا 14 روز است. بر این اساس 8 گروه سازگاری رویشی به نامهای VCG7, VCG6, VCG5, VCG4, VCG3, VCG2, VCG1 و VCG8تعیین شد که در این میان VCG2, VCG1 و VCG3مربوط به جدایه های عامل پژمردگی، VCG4 شامل جدایه های عامل پژمردگی و پوسیدگی انتهائی ساقه، VCG5 شامل فقط یک عضو مربوط به پوسیدگی انتهایی ساقه, VCG7,VCG6 و VCG8مربوط به جدایه های عامل پوسیدگی خشک فوزاریومی سیب زمینی بودند. به نظر می رسد بین جدایه های عامل پژمردگی و پوسیدگی انتهائی ساقه همولوژی ژنتیکی وجود داشته باشد. ارتباطی بین VCG و پراکنش جغرافیائی جدایه ها وجود نداشت. از آنجا که از گروههای سازگاری رویشی استاندارد( به علت عدم وجود آنها) استفاده نشده است، نامگذاری گروهها به روش معمول صورت نگرفته است.
)